Fünf Vorschläge im Wert von 20,5 Milliarden US-Dollar zur Einrichtung von Chip- und Display-Fertigungseinheiten

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Die Regierung erhält Vorschläge von fünf Unternehmen für die Einrichtung von Produktionsstätten für elektronische Chips und Displays | Reuters/file

Das Ministerium für Elektronik und Informationstechnologie (MeitY) gab in einer Pressemitteilung bekannt, dass es fünf Anträge für die Einrichtung von Einheiten zur Halbleiter- und Displayherstellung mit einer Gesamtinvestitionsverpflichtung von 20,5 Milliarden US-Dollar (1,53 Milliarden Rupien) erhalten hat. .

Für die Einrichtung von Halbleiterfabrikationseinheiten sind Vorschläge von Vedanta eingegangen, das ein Joint Venture mit Foxconn, IGSS Ventures, einem in Singapur ansässigen Unternehmen, und ISMC, das vom Next Orbit Ventures Fund, dem Ministerium, geleitet wird, angekündigt hat sagte am Samstag.

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„Die Anträge für die Einrichtung von 28 nm (Nanometer) bis 65 nm Halbleiterfabriken mit einer Kapazität von ca. 120.000 Wafern pro Monat und der geplanten Investition von 13,6 Milliarden US-Dollar mit steuerlicher Unterstützung durch die Zentralregierung sind eingegangen wird für fast 5,6 Milliarden US-Dollar gesucht“, fügte sie hinzu.

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Für die Einrichtung von Display-Fertigungseinheiten sind zwei Anträge von Vedanta und Elest mit einer Gesamtinvestitionsverpflichtung von 6,7 Milliarden US-Dollar eingegangen, und die von der Regierung beantragte steuerliche Unterstützung könnte bis zu 2,7 Milliarden US-Dollar betragen, sagte MeitY Erklärt |Erklärt: Wie die Tech-Welt die Chipknappheit angeht

Im vergangenen Dezember hatte das Kabinett einen Plan in Höhe von 76.000 Rupien für ein Ökosystem für die Herstellung von Halbleitern und Displays im Land genehmigt. Als Teil des Plans hat das Zentrum Anreize für Unternehmen zusammengestellt, die in den Bereichen Siliziumhalbleiterfabriken, Displayfabriken, Verbindungshalbleiter, Siliziumphotonik, Sensorfabriken, Halbleiterverpackung und Halbleiterdesign tätig sind.

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Als Teil des Programms erhalten Fertigungseinheiten, die Technologieknoten von 28 nm oder weniger herstellen, für die Einrichtung von komplementären Metalloxidhalbleitern aus Silizium bis zu 50 Prozent der Projektkosten als Anreiz, während sie für über 28 nm jedoch bis zu 50 % der Projektkosten betragen 45 nm, das Zentrum übernimmt 40 Prozent der Stückkosten.

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Der Schritt der Regierung, Anreize für die Einrichtung von Halbleiterfertigungseinheiten zu schaffen, gewinnt in einer Zeit an Bedeutung, in der weltweit ein Mangel an Halbleiterprodukten herrscht. Darüber hinaus haben vier Unternehmen – SPEL Semiconductor, HCL, Syrma Technology und Valenkani Electronics – Anträge für die Einrichtung von Halbleitermontage-, Test-, Markierungs- und Verpackungseinheiten eingereicht; Inzwischen hat Ruttonsha International Rectifier einen Antrag im Rahmen des Halbleiterprogramms für die Herstellung von Verbindungshalbleitern gestellt.

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Anfang dieser Woche berichtete The Indian Express, dass das Zentrum das Jahr 2024 für die formelle Eröffnung von Indiens erster Halbleiterfabrikation anstrebt. Die Zusage für mindestens eines der drei großen Unternehmen, die sich beworben haben, wird voraussichtlich vor dem 31. März erfolgen.

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