Nanometer-Rennen: Intel führt neue Node-Namen wie „Intel 7“ und „Intel 4“ ein

0
146

Intel verpasst seinen Fertigungsprozessen neue Namen: Aus 10 nm Enhanced SuperFin wird „Intel 7“, aus 7 nm wird „Intel 4“ und später soll „Intel 20A“ für 2 nm folgen. Intel richtet das Marketing damit an Samsung und TSMC aus, kleiner steht für schneller und besser. Die Umstellung ist wichtig für das neue Foundry-Geschäft.

Intel zieht mit Samsung und TSMC gleich

Forschritt in der Fertigung, das bedeutet zuletzt auch bei Intel quasi jedes Jahr offiziell eine neue Fertigungsstufe, ganz egal, wie groß die Veränderungen waren. Es gab Suffixe wie „+++“, „SuperFin“ oder „Enhanced SuperFin“ – der letzte Begriff zur Kennzeichnung der überarbeiteten „10-nm-Fertigung“ überlebt mit der heutigen Anpassung nicht mal ein Jahr.

Denn wie Intel bekanntgibt, werden der aktuelle und alle zukünftigen Nodes erneut umbenannt. Dieses Mal übernimmt dabei primär die Marketing-Abteilung, so wie es sich Ende März dieses Jahres bereits in ersten Gerüchten angedeutet hatte. Die neuen Bezeichnungen lehnen sich damit an Samsung und TSMC an, die Chips gemäß der eigenen Klassifizierung in 7 und 5 nm fertigen und auf dem Weg zu 3 nm sind. Intel selbst will den Begriff Nanometer weglassen und nur noch Namen wie „Intel 4“ vergeben. Denn laut Intel stimme der Begriff hinsichtlich der Gate-Länge, auf die die ursprüngliche Bezeichnung abzielte, schon seit dem Jahr 1997 nicht mehr.

Neue Bezeichnungen für Intels Fertigungsstufen (Bild: Intel)

Leistung pro Watt ist der neue Bezugspunkt

Intel will sich bei den ganzen neuen Bezeichnungen nur noch auf Leistung pro Watt beziehen, es gibt fortan keine reine Bezugsgrößen wie Transistordichte oder reine Nanometer mehr. Ähnlich gehen die Mitbewerber bekanntlich auch vor, dort wird stets primär von Leistungsverbesserungen oder Energieeinsparpotenzial gesprochen.

Die Industrie und TSMCs Blick auf das Nanometer-Rennen (Bild: Intel)

Und deshalb nennt Intel heute 10 bis 15 Prozent mehr Leistung bei gleichem Energiebedarf in der Fertigungsstufe „Intel 7“, bei „Intel 4“ sollen es sogar 20 Prozent sein, während „Intel 3“ noch einmal 18 Prozent drauflegen soll. Alle Werte liegen damit im Rahmen dessen, wie sie auch die anderen Foundrys stets bei ihren Optimierungen und neuen Fertigungsschritten offenbaren, so wie zuletzt beispielsweise Samsung Foundry.

Leistungsgewinne in den Fertigungsstufen bei Samsung Foundry (Bild: Baidu)

Produktüberblick bis 2025

Alder Lake wird das erste Produkt in „Intel 7“, das im Herbst dieses Jahres veröffentlicht werden soll. Die Serienproduktion der Chips läuft bereits. Auch Sapphire Rapids für Server nutzt diesen Fertigungsprozess. Meteor Lake soll im Jahr darauf in „Intel 4“ gefertigt werden, aber erst 2023 an den Start gehen. Diese CPUs sollen in den gleichen TDP-Rahmen wie die aktuellen Produkte fallen, Intel bestätigt heute erstmals 5 bis 125 Watt – diese Werte sind schon bei Alder Lake gesetzt. Neben Client-CPUs wird auch das Server-Segment adressiert: Granite Rapids wird mit dem Fertigungsprozess „Intel 4“ für denselben Zeitraum wie Meteor Lake eingeplant.

Der Prozess „Intel 3“ steht nun für etwas, das früher einmal als 5-nm-Fertigung vermutet wurde. Produkte nennt Intel offiziell noch nicht, Ende 2023 sollen sie jedoch gefertigt werden und ab 2024 zur Verfügung stehen. Die Verbesserungen greifen in allen Bereichen, was zum Teil auch der gesteigerten Nutzung von EUV zu verdanken ist, ohne die das kaum möglich wäre.

Intels Erfolge in den Fertigungsstufen (Bild: Intel)

Gate-All-Around-FETs im Ångström-Node

Ab 2024 will Intel ein neues Zeitalter einläuten. Statt die Fertigung dann jedoch „Intel 2“ in Anlehnung an 2 nm zu nennen, begibt man sich auf den Ångström-Weg und setzt entsprechend die Zehnerpotenz wieder nach oben, denn 1 Å = 0,1 nm. Intel 20A heißt die erste Stufe, in der neue Gate-All-Around-FETs sowie massive Anpassungen am Interconnect erfolgen werden. Intel nennt sie im Marketing „RibbonFET“ und „PowerVia“. Auf „Intel 20A“ soll im Jahr 2025 „Intel 18A“ folgen. In diesem Punkt verriet Intel schon so viel, dass erstmals High-NA-EUV von ASML genutzt werden soll. Weitere Details dazu liefert ComputerBase in einer separaten Meldung.

Großen Ankündigungen müssen Taten folgen

Neue Fertigungsstufen, Namen und mehr gab es von Intel zuletzt alle Jahre wieder. Und alle Jahre wieder wurden sie über den Haufen geworfen, darunter legendäre Ankündigungen und weit in die Zukunft reichende Ausblicke. Von den bisher stets geplanten „+“ und „++“ soll in Zukunft erst einmal gar nichts mehr kommen: kein LP, HP, LPE oder sonstiges mehr, sondern immer ein neuer Schritt nach dem anderen. Dass sich das so durchhalten lässt, ist als ambitioniertes Ziel einzustufen, denn aktuell schafft das keine konkurrierende Foundry.

Intel-Roadmap mit Backport-Möglichkeit aus dem Jahre 2019 (Bild: Intel)

Roadmap zeugt von Selbstvertrauen

Heute ist die Ausgangslage für Intel deshalb erst einmal kein bisschen anders als zuvor. Eine Roadmap für drei, vier Jahre ganz öffentlich auszulegen zeugt erst einmal nur von einer Sache: Selbstvertrauen. Nun muss das Unternehmen aber auch genau das liefern – und nicht binnen eines Jahres schon wieder die Bezeichnungen ändern. Intel hofft hier, dass Mitbewerber eher wieder diesem Weg folgen werden. Rein auf das Marketing bezogen könnte sich TSMC mit 2 nm vielleicht aber besser verkaufen als „Intel 20A“, kleiner nur beim Namen ist aktuell bekanntlich bereits „besser“ – darauf sind die Kunden schließlich zuletzt geimpft geworden.

ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von Intel unter NDA erhalten. Die einzige Vorgabe war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.