Fab7: Kioxia startet Bau der NAND-Fabrik für BiCS6-Flash

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Wie schon im vergangenen Herbst angekündigt, hat Kioxia mit dem Bau der Fab7 begonnen. Die erste Bauphase der neuen Fertigungsanlage für 3D-NAND der BiCS-Familie soll im Frühjahr 2022 abgeschlossen sein und die Produktionskapazität am Werkskomplex Yokkaichi in der japanischen Präfektur Mie weiter erhöhen.

Das Yokkaichi-Werk bietet laut Kioxia bereits jetzt „die weltweit größte Produktionskapazität für Flashspeicher“. Die Entwicklung und Produktion des 3D-NAND erfolgt in Kooperation mit Western Digital, das durch die Übernahme von SanDisk auch die langjährige Partnerschaft mit Kioxia (ehemals Toshiba Memory) übernommen hat.

Die Fab7 soll eine hochmoderne Anlage mit einem „KI-gestützten Fertigungssystem“ werden. Aspekte wie Umweltfreundlichkeit, Energiesparen und Erdbebenschutz sollen beim Bau berücksichtigt werden. Am gleichen Standort war die erste Bauphase der Fab6 nach 1,5 Jahren abgeschlossen. Bei der Fab7 soll es demnach nur etwa ein Jahr dauern. Die Kosten sollen sich laut einem Medienbericht auf etwa eine Billion Japanische Yen belaufen, was nach aktuellem Wechselkurs rund 7,8 Milliarden Euro entspricht.

Unter anderem durch das 5G-Zeitalter erwartet Kioxia einen höheren Bedarf an Flash-Speicher, dem mit der neuen Anlage begegnet werden soll. Produkte wie Smartphones, SSDs und Speicherkarten verlangen nach immer mehr NAND-Flash; die weltweit auftretenden Datenmengen wachsen rasant.

Fab7 fertigt BiCS6

Gemeinsam mit Western Digital hat Kioxia kürzlich die inzwischen sechste Generation 3D-NAND (BiCS6) vorgestellt, die in der Fab7 produziert werden wird. Das 162-Layer-Design, bei dem Kioxia aber von mehr als 170 Word-Line-Layern spricht, bietet in der TLC-Variante gegenüber BiCS5 eine um ein Drittel höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung. ComputerBase hat die im Rahmen des ISSCC enthüllten neuen 3D-NAND-Generationen der Hersteller in einer Übersicht gegenübergestellt.

BiCS6
BiCS5

Chip
1 Terabit TLC (4 Planes)
512 Gbit TLC (4 Planes)

Layer
>170
128

Die
98 mm²
66 mm²

Dichte
10,4 Gb/mm²
7,8 Gb/mm²

Read (tR)
50 µs
56 µs

Program
160 MB/s
132 MB/s

I/O
2,0 Gb/s
1,066 Gb/s

Power
Vcc: 2,35 V bis 3,6 V
Vccq: 1,2 V
Vcc: 2,3 V bis 3,6 V
Vccq: 1,2 V, 1,8 V